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“硅基半导体的未来是可预计的，但我们之前的投入不能就此搁浅，所以我们并没有停止追求在保持器件特性的同时，进一步降低故障率。
作为技术供应商，我们一直在寻找通过新设备获得更高性能的方法，同时我们也在调整晶圆厂的制造工艺。
在晶圆厂中，我们对平面栅极和沟槽栅极功率使用了许多创新的工艺步骤，创新也就意味着错误繁多、兼容难做，有时候一个技术点的差异就会导致整块晶圆报废。
比如更厚、更轻掺杂的堆栈，支持更高的击穿电压，但导通电阻增加。
所以为了在器件上形成沟槽，某些情况下，沟槽尺寸被我们做到了1μm（微米）甚至更小的程度。
为了形成沟槽，我们必须要在器件上沉积另一个掩模层，并且在其中注入掺杂剂。
沟槽被图案化，然后被蚀刻，由于沟槽填充有栅极材料，所以最后形成源极和漏极。
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